相比20世纪中期，洲摆已经有95%的豺、81%的豹、77%的狼、38%的雪豹在保护地内消失，现存者主要集中在秦岭中部自然保护区群和邛崃山系自然保护区群。

团队深入研究了氟原子的个数、脱俄取代位置、脱俄骨架规整化、多组分策略等方面对all-PSC器件效率的影响，取得了一系列重要成果，相关工作发表于Adv.EnergyMater.(IF=25.245)，Angew.Chem.Int.Ed.(IF=12.959)，Adv.Funct.Mater.(IF=16.836)及Joule (IF=29.155)等。依赖图5. 过往经典的聚合物受体氟化策略：连接基元氟化。

洲摆(d)短路电流-光强变化曲线。文章涉及到的PY-T、脱俄IC-2FBr、PY2F-T的化学结构图6. (a)器件结构图 (b)伏安特性曲线。值得注意的是，依赖与相应的二元体系相比，三元共混物显示出更少的能量损失，更好的光吸收和光热稳定性。

此外，洲摆详细的形貌研究表明，洲摆基于PY2F-T的混合物显示出较小的相分离尺寸和较高的相区纯度，相关时间分辨实验亦可证实多氟化策略能有效抑制电荷复合。与上篇IC-FBr的氟、脱俄溴共同修饰的端基（IC-FBr1和IC-FBr2的混合物）的工作（Adv.EnergyMater.2021,11,2003171）不同，脱俄该文章进一步合成并纯化了两个不同位置的氟溴取代的端基（IC-FBr-o和IC-FBr-m），然后分别制备了两个名为PYF-T-o和PYF-T-m的区域规整的聚合物受体。

更重要的是，依赖基于PY2F-T的活性层可以在空气条件下进行旋涂加工，仍然可以达到14.37％的效率。

在本工作中，洲摆作者首先开发了一种由氟原子和溴原子同时修饰的二卤化端基IC-FBr，然后将其用于新型聚合物受体(PYF-T)的制备中。此外，脱俄本文还介绍了能够利用各种化学性质，如相变和氧化还原反应的新兴材料。

依赖（g）电化学多稳定分子层的示意图。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，洲摆投稿邮箱[email protected]。

脱俄（f）NDR+PMOS配置中器件的负载线分析（顶部）和STI特性（底部）。特别是，依赖本文总结了低维材料（如量子点，依赖纳米线和原子薄层材料（例如，石墨烯，黑磷（BP），过渡金属硫化物（TMDCs）和化学用途广泛的有机半导体异质结构））在其产生理想器件性能方面的优点和局限性方面的最新进展。